UH2B-M3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/52T
| Artikelnummer: | UH2B-M3/52T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/52T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments UH2B-M3/52T.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 2 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-214AA (SMB) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 35 ns Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 100 V Strom - Richt (Io) 2A Kapazität @ Vr, F 42pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer UH2 UH2B-M3/52T Einzelheiten PDF [English] UH2B-M3/52T PDF - EN.pdf -
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